ГОСТ Р (Государственный стандарт России)

Тепловой пробой p-n перехода (thermal breakdown of a PN junction) — пробой p-n перехода, вызванный резким ростом числа носителей заряда в результате нарушения равновесия между

Модуляция толщины базы (base thickness modulation) — изменение толщины базы, вызванное изменением толщины запирающего слоя при неоднократном во времени изменении значения обратного напряжения, приложенного к

Эффект смыкания (punch-through) —смыкание обедненного слоя коллекторного перехода с обедненным слоем эмиттерного перехода в результате расширения слоя коллекторного перехода на всю толщину базы. [ГОСТ Р

Накопление заряда в базе (неравновесных носителей) (no equilibrium charge carrier storage in the base) — увеличение концентрации и величины зарядов, образованных неравновесными носителями заряда в

Рассасывание заряда в базе (неравновесных носителей)  (nonequilibrium charge carrier resorption in the base) —  уменьшение концентрации и величин зарядов, образованных неравновесными носителями заряда в базе, в

Состояние тиристора закрытое (off-state of a thyristor) —  состояние тиристора, соответствующее участку прямой ветви вольт-амперной характеристики между нулевой точкой и точкой переключения. [ГОСТ Р 57436-2017.

Состояние тиристора открытое (on-state of a thyristor) — состояние тиристора, соответствующее низковольтному и низкоомному участкам прямой ветви вольт-амперной характеристики. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины

Состояние тиристора непроводящее в обратном направлении (reverse blocking state of a thyristor) — состояние тиристора, соответствующее участку вольт-амперной характеристики при обратных токах, по значению меньших

Переключение тиристора (thyristor switching) — переход тиристора из закрытого состояния в открытое, вызванный воздействием электрических сигналов между его анодным и катодным выводами при отсутствии сигнала

Включение тиристора (turn-on of a thyristor) — переход тиристора из закрытого состояния в открытое при подаче сигнала управления. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины и определения]