Тепловой пробой p-n перехода (thermal breakdown of a PN junction) — пробой p-n перехода, вызванный резким ростом числа носителей заряда в результате нарушения равновесия между выделяемым в p-n переходе и отводимым от него теплом.
[ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины и определения]