ГОСТ Р (Государственный стандарт России)

Переход плоскостной (rectifier diode) — P-n переход, у которого линейные размеры, определяющие его площадь, значительно больше толщины. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины и определения]

Переход плавный (progressive junction) — P-n переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси сравнима с толщиной области пространственного заряда. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые.

Переход резкий (abrupt junction) — P-n переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси значительно меньше толщины области пространственного заряда. Примечание. Толщиной области считают ее

n-n переход (Нрк. электронно-электронный переход)( jonction ) —электрический переход между двумя областями полупроводника n-типа, обладающими различными значениями электрической проводимости. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины

Направление для p-n перехода, обратное (reverse direction of a PN junction; reverse direction) — направление тока, в котором p-n переход имеет наибольшее сопротивление. [ГОСТ Р

p-n переход PN (junction) — электрический переход между двумя областями полупроводника (или металла и полупроводника), одна из которых имеет электропроводность n-типа, а другая p-типа. [ГОСТ

Затвор полевого транзистора  (gate of a field-effect transistor; gate) —электрод полевого транзистора, на который подается электрический сигнал. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины и определения]

Структура полупроводникового прибора (structure of a semiconductor device; structure) — последовательность граничащих друг с другом областей полупроводника с различными типами электропроводности или значениями электрической проводимости,

Структура металл-диэлектрик-полупроводник (metal-insulator-semiconductor structure) — структура, состоящая из последовательного сочетания металла, диэлектрика и полупроводника. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины и определения]