Реестровая запись: ЭЛ № ФС77-79395 от 02.11.2020 ISSN: 2782-1528 DOI 10.34660/c0727-6092-6372-a
Переход эпитаксиальный (epitaxial junction) — P-n переход, образованный эпитаксиальным наращиванием. Примечание. Эпитаксиальное наращивание — создание на монокристаллической подложке слоя полупроводника, сохраняющего кристаллическую структуру подложки. [ГОСТ Р
Переход гетерогенный; гетеропереход (heterogeneous junction) —электрический переход, образованный в результате контакта полупроводников с различной шириной запрещенной зоны. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины и определения]
Переход гомогенный (homogeneous junction); гомопереход —электрический переход, образованный в результате контакта полупроводников с одинаковой шириной запрещенной зоны. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины и определения]
Переход Шоттки (Schottky junction) — P-n переход, образованный в результате контакта между металлом и полупроводником. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины и определения]
Переход выпрямляющий (rectifying junction) — P-n переход, электрическое сопротивление которого при прямом направлении тока значительно больше, чем при обратном. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины
Переход эмиттерный (emitter junction) — P-n переход между областями эмиттера и базы транзистора. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины и определения]
Переход коллекторный (jonction collecteur) — P-n переход между базой и коллектором транзистора. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины и определения]
Полупроводник (semiconductor) — материал, величина электропроводности которого, обусловленная носителями заряда обоих знаков, обычно находится в диапазоне между электропроводностью металлов и изоляторов, а концентрация носителей заряда
Часть базы активная (active part of the base) — часть базы биполярного транзистора, в которой накопление или рассасывание неосновных носителей заряда происходит за время большее,
Полупроводник p-типа (P-type semiconductor) — полупроводник с преобладающей электропроводностью p-типа. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины и определения]