Терминологический словарь автоматизации строительства и производственных процессов

Реестровая запись:
ЭЛ № ФС77-79395 от 02.11.2020

ISSN: 2782-1528

DOI 10.34660/c0727-6092-6372-a

Последнее обновление словаря: 12.10.2026 - 16:42
Категории

ГОСТ Р (Государственный стандарт России)

Коллектор

Коллектор (collector) — область транзистора между коллекторным переходом и коллекторным электродом. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины и определения]

Читать далее

Часть базы пассивная

Часть базы пассивная (passive part of the base) — часть базы биполярного транзистора, в которой для накопления или рассасывания неосновных носителей заряда необходимо время больше, чем

Читать далее

Канал полевого транзистора

Канал полевого транзистора — channel of a field-effect transistor; channel Область полевого транзистора, в которой происходит перенос основных носителей заряда.  Примечания. 1 Данное понятие не

Читать далее

Исток полевого транзистора

Исток полевого транзистора (source of a field-effect transistor; source) — электрод полевого транзистора, через который в канал втекают носители заряда. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые.

Читать далее

Мегаструктура

Мегаструктура (mesastructure) — структура, имеющая форму выступа, образованного удалением периферийных участков кристалла полупроводника, либо наращиванием полупроводникового материала. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины и определения]

Читать далее

Переход сплавной

Переход сплавной  (alloyed junction) — P-n переход, образованный в результате вплавления в полупроводник и последующей рекристаллизации металла или сплава, содержащего донорные и (или) акцепторные примеси.

Читать далее

Переход конверсионный

Переход конверсионный(conversion junction)— P-n переход, образованный в результате конверсии полупроводника, вызванной обратной диффузией примеси в соседнюю область или активацией атомов примеси. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы

Читать далее

Переход планарный

Переход планарный (planar junction) — P-n переход, образованный в результате диффузии примеси сквозь открытую область в защитном слое, нанесенном на поверхность полупроводника. [ГОСТ Р 57436-2017.

Читать далее

Переход диффузионный

Переход диффузионный (diffused junction) — P-n переход, полученный в результате диффузии атомов примеси в полупроводнике. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины и определения]

Читать далее

Переход точечный

Переход точечный (point-contact junction) — P-n переход, все размеры которого меньше характеристической длины, определяющей физические процессы в переходе и в окружающих его областях. Примечание. Характеристической

Читать далее