Часть базы пассивная (passive part of the base) — часть базы биполярного транзистора, в которой для накопления или рассасывания неосновных носителей заряда необходимо время больше, чем время их перемещения от эмиттерного перехода к коллекторному переходу.
[ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины и определения]