Приборы полупроводниковые/Semiconductor devices

Направление прямое для p—n перехода (forward direction of a PN junction; forward direction)  — направление тока, в котором p-n переход имеет наименьшее сопротивление. [ГОСТ Р

Переход микросплавной  (microalloy junction) —сплавной переход, образованный в результате вплавления на малую глубину слоя металла или сплава, предварительно нанесенного на поверхность полупроводника. [ГОСТ Р 57436-2017.

Переход эпитаксиальный (epitaxial junction) — P-n переход, образованный эпитаксиальным наращиванием. Примечание. Эпитаксиальное наращивание — создание на монокристаллической подложке слоя полупроводника, сохраняющего кристаллическую структуру подложки. [ГОСТ Р

Переход гетерогенный; гетеропереход (heterogeneous junction)  —электрический переход, образованный в результате контакта полупроводников с различной шириной запрещенной зоны. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины и определения]

Переход гомогенный (homogeneous junction); гомопереход —электрический переход, образованный в результате контакта полупроводников с одинаковой шириной запрещенной зоны. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины и определения]

Переход Шоттки (Schottky junction) — P-n переход, образованный в результате контакта между металлом и полупроводником. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины и определения]

Переход выпрямляющий (rectifying junction) — P-n переход, электрическое сопротивление которого при прямом направлении тока значительно больше, чем при обратном. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины

Переход эмиттерный (emitter junction) — P-n переход между областями эмиттера и базы транзистора. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины и определения]

Переход коллекторный (jonction collecteur) — P-n переход между базой и коллектором транзистора. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины и определения]