Реестровая запись: ЭЛ № ФС77-79395 от 02.11.2020 ISSN: 2782-1528 DOI 10.34660/c0727-6092-6372-a
Диод кремниевый, лавинно-пробойный (Silicon avalanche diode) — это полупроводниковый диод, который используется для стабилизации напряжения и защиты цепей от перенапряжений. Он работает в лавинно-пробойном режиме
Температура корпуса, максимально допустимая (теплоотвода) — максимальное значение температуры корпуса диода (теплоотвода), при котором обеспечивается за данная надежность диода при длительной работе. [ГОСТ Р 71081-2023. Диоды
Емкость диода, конструктивная — емкость между выводами диода при отсутствии контакта с диодной структурой. [ГОСТ Р 71081-2023. Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные. Система параметров]
Максимально допустимая импульсная рассеиваемая СВЧ мощнос— максимальное значение импульсной СВЧ мощности, рассеиваемой диодом при повышенном значении температуры среды или при максимальной температуре корпуса диода, при котором
Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность СВЧ-диода — максимальное значение суммарной импульсной мощности, рассеиваемой диодом при повышенном значении температуры среды или при максимальной температуре корпуса диода, при
Коэффициент перекрытия по емкости — отношение значений общей емкости диода при двух заданных значениях обратного напряжения. [ГОСТ Р 71081-2023. Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные. Система параметров]
Напряжение обратное мгновенное, максимально допустимое — максимальное значение мгновенного обратного напряжения любой формы, при котором обеспечивается заданная надежность диода при длительной работе. [ГОСТ Р 71081-2023. Диоды
Напряжение диода Ганна, максимально допустимое постоянное (импульсное) — максимальное значение постоянного (импульсного) напряжения, приложенного к диоду Ганна, при котором обеспечивается заданная надежность при длительной работе. [ГОСТ
Максимально допустимая непрерывная рассеиваемая мощность СВЧ-диода — максимальное значение суммарной непрерывной мощности, рассеиваемой диодом при повышенном значении температуры среды или при максимальной температуре корпуса диода, при котором
Напряжение лавинно-пролетного диода, постоянное (импульсное) рабочее — значение постоянного (импульсного) напряжения, обусловленное постоянным (импульсным) рабочим током ЛПД. [ГОСТ Р 71081-2023. Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные. Система параметров]