Часть базы активная (active part of the base) — часть базы биполярного транзистора, в которой накопление или рассасывание неосновных носителей заряда происходит за время большее, чем время их перемещения от эмиттерного перехода к коллекторному переходу. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины и определения]