Модуляция толщины базы (base thickness modulation) — изменение толщины базы, вызванное изменением толщины запирающего слоя при неоднократном во времени изменении значения обратного напряжения, приложенного к коллекторному переходу.
[ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины и определения]