Рассасывание заряда в базе (неравновесных носителей) (nonequilibrium charge carrier resorption in the base) — уменьшение концентрации и величин зарядов, образованных неравновесными носителями заряда в базе, в результате уменьшения инжекции или в результате рекомбинации.
[ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины и определения]