Приборы полупроводниковые/Semiconductor devices

Пробой лавинный p-n перехода (avalanche breakdown of a PN junction) — электрический пробой p-n перехода, вызванный лавинным размножением носителей заряда в запрещенной зоне p-n перехода

Пробой туннельный p-n перехода (zener breakdown of a PN junction) — электрический пробой p-n перехода, вызванный переносом носителей заряда. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины

Тепловой пробой p-n перехода (thermal breakdown of a PN junction) — пробой p-n перехода, вызванный резким ростом числа носителей заряда в результате нарушения равновесия между

Модуляция толщины базы (base thickness modulation) — изменение толщины базы, вызванное изменением толщины запирающего слоя при неоднократном во времени изменении значения обратного напряжения, приложенного к

Эффект смыкания (punch-through) —смыкание обедненного слоя коллекторного перехода с обедненным слоем эмиттерного перехода в результате расширения слоя коллекторного перехода на всю толщину базы. [ГОСТ Р

Накопление заряда в базе (неравновесных носителей) (no equilibrium charge carrier storage in the base) — увеличение концентрации и величины зарядов, образованных неравновесными носителями заряда в

Рассасывание заряда в базе (неравновесных носителей)  (nonequilibrium charge carrier resorption in the base) —  уменьшение концентрации и величин зарядов, образованных неравновесными носителями заряда в базе, в

Состояние тиристора закрытое (off-state of a thyristor) —  состояние тиристора, соответствующее участку прямой ветви вольт-амперной характеристики между нулевой точкой и точкой переключения. [ГОСТ Р 57436-2017.

Состояние тиристора открытое (on-state of a thyristor) — состояние тиристора, соответствующее низковольтному и низкоомному участкам прямой ветви вольт-амперной характеристики. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины

Состояние тиристора непроводящее в обратном направлении (reverse blocking state of a thyristor) — состояние тиристора, соответствующее участку вольт-амперной характеристики при обратных токах, по значению меньших