Приборы полупроводниковые/Semiconductor devices

Структура полупроводникового прибора (structure of a semiconductor device; structure) — последовательность граничащих друг с другом областей полупроводника с различными типами электропроводности или значениями электрической проводимости,

Структура металл-диэлектрик-полупроводник (metal-insulator-semiconductor structure) — структура, состоящая из последовательного сочетания металла, диэлектрика и полупроводника. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины и определения]

Структура металл-окисел-полупроводник (metal-oxide-semiconductor structure; MOS structure) — структура, состоящая из последовательного сочетания металла и окисла (на поверхности полупроводника), и полупроводника. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые.

Мезаструктура (mesa structure) — структура, имеющая форму выступа, образованного удалением периферийных участков кристалла полупроводника, либо наращиванием полупроводникового материала. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины и

Слой обедненный (depletion layer) — слой полупроводника, в котором концентрация основных носителей заряда меньше разности концентраций ионизованных доноров и акцепторов. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые.

Слой запирающий (barrier layer)  — обедненный слой между двумя областями полупроводника с различными типами электропроводности или между полупроводником и металлом. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые.

Слой обогащенный (enriched layer) — слой полупроводника, в котором концентрация основных носителей заряда больше разности концентраций ионизованных доноров и акцепторов. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые.

Слой инверсный (Inversion layer) — слой у поверхности полупроводника, в котором тип электропроводности отличается от типа электропроводности в объеме полупроводника в связи с наличием электрического

Пробой p-n перехода (breakdown of a PN junction) — явление резкого увеличения дифференциальной проводимости p-n перехода при достижении обратным напряжением или током критического значения для

Пробой p-n перехода электрический (p-n junction electrical breakdown) — пробой p-n перехода, обусловленный лавинным размножением носителей заряда или их переносом под действием приложенного напряжения. [ГОСТ