Пробой p-n перехода (breakdown of a PN junction) — явление резкого увеличения дифференциальной проводимости p-n перехода при достижении обратным напряжением или током критического значения для данного полупроводникового прибора.
Примечание. Необратимые изменения в p-n переходе не являются необходимым следствием пробоя.
[ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины и определения]