admin

Переход Шоттки (Schottky junction) — P-n переход, образованный в результате контакта между металлом и полупроводником. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины и определения]

Переход выпрямляющий (rectifying junction) — P-n переход, электрическое сопротивление которого при прямом направлении тока значительно больше, чем при обратном. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины

Переход эмиттерный (emitter junction) — P-n переход между областями эмиттера и базы транзистора. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины и определения]

Переход коллекторный (jonction collecteur) — P-n переход между базой и коллектором транзистора. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины и определения]

Полупроводник (semiconductor)  — материал, величина электропроводности которого, обусловленная носителями заряда обоих знаков, обычно находится в диапазоне между электропроводностью металлов и изоляторов, а концентрация носителей заряда

Часть базы активная (active part of the base) — часть базы биполярного транзистора, в которой накопление или рассасывание неосновных носителей заряда происходит за время большее,

Полупроводник p-типа (P-type semiconductor) — полупроводник с преобладающей электропроводностью p-типа. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины и определения]

Коллектор (collector) — область транзистора между коллекторным переходом и коллекторным электродом. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины и определения]

Часть базы пассивная (passive part of the base) — часть базы биполярного транзистора, в которой для накопления или рассасывания неосновных носителей заряда необходимо время больше, чем

Канал полевого транзистора — channel of a field-effect transistor; channel Область полевого транзистора, в которой происходит перенос основных носителей заряда.  Примечания. 1 Данное понятие не