Реестровая запись: ЭЛ № ФС77-79395 от 02.11.2020 ISSN: 2782-1528 DOI 10.34660/c0727-6092-6372-a
Аудиометр — это прибор, применяемый для диагностики у человека глухоты. [Крупнейший в Беларуси справочник средств измерений. (Электронный ресурс). Режим доступа: http:// https://all-pribors.by/, свободный.]
Ацидогастрометр — медицинский прибор для исследования кислотопродуцирующей и кислотонейтрализующей функций желудочно-кишечного тракта. [Крупнейший в Беларуси справочник средств измерений. (Электронный ресурс). Режим доступа: http:// https://all-pribors.by/, свободный.]
Аспиратор (газовый пробоотборник) — устройство, предназначенное преимущественно для контроля качества воздуха, а также для изучения состава газов (например, промышленных выбросов) [Крупнейший в Беларуси справочник средств
Балансомер — прибор для измерения баланса радиации земной поверхности (или любой точки атмосферы), то есть разности между получаемой ею извне и излучаемой радиационной энергией. [Крупнейший
Направление прямое для p—n перехода (forward direction of a PN junction; forward direction) — направление тока, в котором p-n переход имеет наименьшее сопротивление. [ГОСТ Р
Переход микросплавной (microalloy junction) —сплавной переход, образованный в результате вплавления на малую глубину слоя металла или сплава, предварительно нанесенного на поверхность полупроводника. [ГОСТ Р 57436-2017.
Переход выращенный (grown junction) — P-n переход, образованный при выращивании полупроводника из расплава. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины и определения]
Переход эпитаксиальный (epitaxial junction) — P-n переход, образованный эпитаксиальным наращиванием. Примечание. Эпитаксиальное наращивание — создание на монокристаллической подложке слоя полупроводника, сохраняющего кристаллическую структуру подложки. [ГОСТ Р
Переход гетерогенный; гетеропереход (heterogeneous junction) —электрический переход, образованный в результате контакта полупроводников с различной шириной запрещенной зоны. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины и определения]
Переход гомогенный (homogeneous junction); гомопереход —электрический переход, образованный в результате контакта полупроводников с одинаковой шириной запрещенной зоны. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины и определения]