Реестровая запись: ЭЛ № ФС77-79395 от 02.11.2020 ISSN: 2782-1528 DOI 10.34660/c0727-6092-6372-a
Площадки на кристалле микросхемы контактные (bonding pad) —области металлизации на кристалле интегральной микросхемы, используемые для присоединения тонких проволок или схемных элементов к кристаллу. [ГОСТ Р
Прочность сцепления (bond strength, pull strength): сила, перпендикулярная к поверхности платы, необходимая для разделения двух смежных слоев платы. П р и м е ч а
Handshake — асинхронный режим обмена, при котором используется сигнал подтверждения готовности исполнителя. [Философия микропроцессорной техники. Словарь терминов и сокращений. (Электронный ресурс). Режим доступа: http:// intuit.ru›24875/, свободный.]
Driver — выходной буфер, драйвер. [Философия микропроцессорной техники. Словарь терминов и сокращений. (Электронный ресурс). Режим доступа: http:// intuit.ru›24875/, свободный.]
DSP (Digital Signal Processor) — цифровой сигнальный процессор. [Философия микропроцессорной техники. Словарь терминов и сокращений. (Электронный ресурс). Режим доступа: http:// intuit.ru›24875/, свободный.]
DC (Direct Current) — постоянный ток. [Философия микропроцессорной техники. Словарь терминов и сокращений. (Электронный ресурс). Режим доступа: http:// intuit.ru›24875/, свободный.]
Импульсная рассеиваемая мощность диода (Peak power dissipation ) — наибольшее мгновенное значение мощности, рассеиваемой диодом. [ГОСТ 25529-82. Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров]
Мощность диода рассеиваемая, средняя (Average power dissipation)— среднее за период значение мощности, рассеиваемой диодом при протекании прямого и обратного токов. [ГОСТ 25529-82. Диоды полупроводниковые. Термины,
Мощность диода рассеиваемая, обратная (Reverse power dissipation) — значение мощности, рассеиваемой диодом при протекании обратного тока. [ГОСТ 25529-82. Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения
Мощность диода рассеиваемая, прямая (Forward power dissipation) —значение мощности, рассеиваемой диодом при протекании прямого тока. [ГОСТ 25529-82. Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров]