Транзисторы комплементарные (взаимодополняющие) – это два транзистора p-n-p и n-p-n типа, имеющие полностью совпадающие основные параметры и характеристики. В электронных схемах часто используются парами. h-параметры транзистора – параметры транзистора, представленного в виде четырехполюсника. Например: h11 – входное сопротивление транзистора в режиме короткого замыкания на его выходе; h12 – коэффициент обратной связи транзистора в режиме холостого хода на его входе; h21 – коэффициент передачи тока транзистора в режиме короткого замыкания на его выходе (для схемы включения с общим эмиттером – коэффициент усиления тока базы, т.е. основной параметр биполярного транзистора как усилителя тока); h22 – входная проводимость транзистора в режиме холостого хода на его входе. Схема с общей базой (ОБ) – схема включения биполярного транзистора, в которой вывод базы является общим для входной и выходной цепей. Основные свойства схемы с ОБ: большое усиление по напряжению (до 1000 и более), коэффициент усиления по току меньше единицы, большое усиление по мощности (около 1000), малое входное сопротивление (около 200 Ом), высокое выходное сопротивление (около 500 кОм). Схема с общим эмиттером (ОЭ) – схема включения биполярного транзистора, в которой вывод эмиттера является общим для входной и выходной цепей. Основные свойства схемы с ОЭ: большое усиление по напряжению (до 1000 и более), большое усиление по току (не менее 30), большое усиление по мощности (около 30000), среднее входное сопротивление (около 2 кОм), среднее или высокое выходное сопротивление (до 100 кОм). Схема с общим коллектором (ОК) – схема включения биполярного транзистора, в которой вывод коллектора является общим для входной и выходной цепей. Основные свойства схемы с ОК: большое усиление по току (до 30), усиление по напряжению меньше единицы, 16 малое усиление по мощности (около 30), большое входное сопротивление (до 2 МОм), малое выходное сопротивление (не более 200 Ом).
[Электроника: основные понятия, термины и определения: методические рекомендации для самостоятельной работы студентов технических направлений подготовки и специальностей / Юго-Зап. гос. ун-т; сост.: А.С. Романченко. — Курск, 2019. 37 с.: Библиогр.: с. 37.]