Глоссарий

Режим биполярного транзистора, инверсный — смещение на p-n-переходах противоположное: коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер – роль коллектора. [Электроника. (Электронный ресурс). Глоссарий. Режим доступа: http://

Зона проводимости — свободная зона, в которой при температуре 0 К электронов нет, а при более высокой температуре они могут в ней находиться. [Электроника. (Электронный

Затвор транзистора — общий электрод от контактов областей. [Электроника. (Электронный ресурс). Глоссарий. Режим доступа: http:// ulfek.ru›elektronika/680-glossarij.html/, свободный.]

Дырка — свободное место в связях на месте электрона. [Электроника. (Электронный ресурс). Глоссарий. Режим доступа: http:// ulfek.ru›elektronika/680-glossarij.html/, свободный.] Дырка — гипотетическая положительно заряженная частица. Используется в

Ток дрейфовый — перемещение неосновных носителей в направлении поля р-n-перехода. [Электроника. (Электронный ресурс). Глоссарий. Режим доступа: http:// ulfek.ru›elektronika/680-glossarij.html/, свободный.]

Дрейф усилителя — отклонение напряжения на выходе усилителя от начального (нулевого) значения в отсутствие сигнала. [Электроника. (Электронный ресурс). Глоссарий. Режим доступа: http:// ulfek.ru›elektronika/680-glossarij.html/, свободный.]

Ток диффузионный — перемещение основных носителей заряда через р-n-переход в смежные области происходит за счет диффузии против поля р-n-перехода. [Электроника. (Электронный ресурс). Глоссарий. Режим доступа:

Емкость диффузионная — емкость, связанная с изменением инжектированных носителей при изменении напряжения. [Электроника. (Электронный ресурс). Глоссарий. Режим доступа: http:// ulfek.ru›elektronika/680-glossarij.html/, свободный.]

Диапазон усилителя, динамический — диапазон напряжений сигнала, который данный усилитель может усилить без внесения помех и искажений сверх нормы, и равен отношению максимального напряжения входного

ИМС гибридные — микросхемы, представляющие собой комбинацию пленочных микросхем, навесных дискретных (активных) компонентов и полупроводниковых ИМС, которые обычно располагают на диэлектрической подложке пленочной ИМС. [Электроника.