Принцип адресности
Принцип адресности — структурно оперативная память состоит из пронумерованных ячеек, номер ячейки называется адресом памяти. Центральному процессору в произвольный момент времени по адресу доступна любая ячейка.
Принцип адресности — структурно оперативная память состоит из пронумерованных ячеек, номер ячейки называется адресом памяти. Центральному процессору в произвольный момент времени по адресу доступна любая ячейка.
cycle time — длительность цикла (имеется в виду цикл обращения к памяти). При использовании термина необходимо указание, о какой организации цикла идет речь. По умолчанию термин совпадает со временем доступа. [Глоссарий
density — плотность — емкость чипа в мегабитах. Помимо единицы измерения, отличается от емкости модуля еще и тем, что имеет отдельное значение «уровня технологии», по которой изготовлен данный чип. В настоящее
DIP (Dual In-line Package) — микросхемы с двумя рядами контактов, расположенными вдоль длинных сторон чипа и загнутых «вниз». Чрезвычайно распространенная упаковка во времена «до» модулей памяти. [Глоссарий
fast page — дословно быстрый страничный (режим). Очень старая схема оптимизации работы памяти, которая основана на предположении, что доступ, как правило, осуществляется по последовательным адресам. Позволяет наряду с
DRAM module — модуль памяти — устройство, представляющее собой печатную плату с контактами, на которой расположены чипы памяти (иногда заключенное в корпус), и представляющее собой единую логическую схему. Помимо чипов памяти
ECC DIMM — для 168-контактных DIMM термин идентичен понятию «DIMM с четностью», т.е. 72-битный. [Глоссарий терминов, имеющих отношение к компьютерной памяти. (Электронный ресурс). Режим доступа: http:// ixbt.com›mainboard/memgloss.html/, свободный]
ECC-on-SIMM — SIMM с интегрированным контроллером ECC, применявшиеся в некоторых моделях серверов IBM, Digital и HP. Распространения не получили. [Глоссарий терминов, имеющих отношение к компьютерной памяти. (Электронный ресурс). Режим
EDO (Extended Data Out) — разновидность асинхронной DRAM, очень широко применявшаяся в последние 2 года. Представляет собой дальнейшее развитие метода fast page по «конвейерной» схеме — линии ввода-вывода остаются какое-то время открытыми для чтения
access cycle — цикл обращения — последовательность (иногда ее длительность) операций устройства памяти между двумя последовательными актами чтения либо записи. Включает в себя, в частности, все операции, связанные