Реестровая запись: ЭЛ № ФС77-79395 от 02.11.2020 ISSN: 2782-1528 DOI 10.34660/c0727-6092-6372-a
Транзистор полевой обогащенного типа (enhancement type field-effe ct transistor) — полевой транзистор, имеющий нулевую проводимость при нулевом напряжении затвор-исток, канал которого может стать проводящим при
Транзистор биполярный симметричный (bidirectional transistor) — биполярный транзистор, сохраняющий свои электрические характеристики при взаимной замене в схеме включения выводов эмиттера или истока и коллектора или
Транзистор биполярный, переключательный (field-effect bipolar switching transistor) — биполярный транзистор, обладающий сравнительно большим электрическим сопротивлением в закрытом состоянии и минимальным — в открытом, способный переходить из
Транзистор тетродный (tetrode transistor) — четырехэлектродный транзистор, имеющий два отдельных базовых электрода и два базовых вывода. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины и определения]
Тиристор диодный (динистор) (diode thyristor) — тиристор, имеющий два вывода, через которые протекает как основной ток, так и ток управления. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины
Диод лавинно-пролетный (impact avalanche-transit time diode) — полупроводниковый диод, работающий в режиме лавинного размножения носителей заряда при обратном смещении электрического перехода, предназначенный для генерации сверхвысокочастотных колебаний.
Диод инжекционно-пролетный (barrier-injection and transittime diode) — полупроводниковый диод, работающий в режиме инжекции носителей заряда в область запорного слоя, предназначенный для генерации сверхвысокочастотных колебаний. [ГОСТ Р
Диод сигнальный (signal diode) — диод, предназначенный для выделения или обработки информации, содержащейся в электрическом сигнале, который изменяется со временем и может быть по виду аналоговым
Диод Ганна (Gunn diode) — полупроводниковый диод, действие которого основано на появлении отрицательного объемного сопротивления под воздействием сильного электрического поля, предназначенный для генерации и усиления
Диод быстро восстанавливающий (fast-recovery diode) — полупроводниковый диод со временем восстановления обратного сопротивления не более 5 нс. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины и определения]