Время жизни носителей заряда
Время жизни носителей заряда — среднее время существования пары носителей заряда. [Электроника. (Электронный ресурс). Глоссарий. Режим доступа: http:// ulfek.ru›elektronika/680-glossarij.html/, свободный.]
Время жизни носителей заряда — среднее время существования пары носителей заряда. [Электроника. (Электронный ресурс). Глоссарий. Режим доступа: http:// ulfek.ru›elektronika/680-glossarij.html/, свободный.]
Время восстановления обратного сопротивления диода — время, в течение которого обратный ток изменяется от максимального значения до установившегося. [Электроника. (Электронный ресурс). Глоссарий. Режим доступа: http://
Характеристика р-n-перехода, вольт-амперная — зависимость тока через р-n-переход от приложенного к нему напряжения. [Электроника. (Электронный ресурс). Глоссарий. Режим доступа: http:// ulfek.ru›elektronika/680-glossarij.html/, свободный.]
Транзистор биполярный — полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими электрическими переходами и тремя (или более) выводами, усилительные свойства которого обусловлены явлениями инжекции и экстракции неосновных носителей
Емкость барьерная — емкость, обусловленная перераспределением зарядов в переходе. [Электроника. (Электронный ресурс). Глоссарий. Режим доступа: http:// ulfek.ru›elektronika/680-glossarij.html/, свободный.]
Барьер Шотки — потенциальный барьер, полученный на контакте металл – полупроводник. [Электроника. (Электронный ресурс). Глоссарий. Режим доступа: http:// ulfek.ru›elektronika/680-glossarij.html/, свободный.]
Кристалл матричный, базовый — матрица нескоммутированных элементов, электрические связи между которыми формируются в соответствии с назначением микросхемы на этапе формирования разводки. [Электроника. (Электронный ресурс). Глоссарий.
База биполярного транзистора — средняя область в p-n-p- (или n-p-n-) структуре, характеризуется наименьшей концентрацией примесей, посредством омического контакта соединена с выводом, называемым базой. [Электроника. (Электронный
Характеристика усилителя, амплитудно-частотная — зависимость модуля коэффициента усиления К от частоты (или от угловой частоты). [Электроника. (Электронный ресурс). Глоссарий. Режим доступа: http:// ulfek.ru›elektronika/680-glossarij.html/, свободный.]
Акцепторы — примеси, атомы которых способны при возбуждении принять валентные электроны соседних атомов, создав в них дырку. [Электроника. (Электронный ресурс). Глоссарий. Режим доступа: http:// ulfek.ru›elektronika/680-glossarij.html/,