admin

Транзистор полевой N-канальный (N-channel field-effect transistor) — полевой транзистор, у которого канал проводимости N-типа. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины и определения]

Транзистор полевой P-канальный — полевой транзистор, у которого канал проводимости P-типа. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины и определения]

Транзистор полевой типа металл-оксид-полупроводник (metal-oxide-semiconductor field effect transistor) — полевой транзистор с изолированным затвором, в котором в качестве изоляционного слоя между каждым металлическим затвором и

Транзистор полевой со структурой металл-диэлектрик-полупроводник (MIS-transistor) — полевой транзистор с изолированным затвором, в котором в качестве изоляционного слоя между каждым металлическим затвором и проводящим каналом

Транзистор полевой с барьером Шоттки (field-effect transistor with Schottky barrier) — полевой транзистор, имеющий один или несколько затворов, которые выполнены в виде барьерного контакта типа Шоттки.

Транзистор полевой обедненного типа (depletion type field-effect transistor) — полевой транзистор, имеющий проводимость канала при нулевом смещении затвор-исток, в котором проводимость канала можно снизить, подавая напряжение

Транзистор полевой обогащенного типа (enhancement type field-effe ct transistor) —  полевой транзистор, имеющий нулевую проводимость при нулевом напряжении затвор-исток, канал которого может стать проводящим при

Транзистор биполярный симметричный (bidirectional transistor) —  биполярный транзистор, сохраняющий свои электрические характеристики при взаимной замене в схеме включения выводов эмиттера или истока и коллектора или

Транзистор биполярный, переключательный (field-effect bipolar switching transistor) — биполярный  транзистор, обладающий сравнительно большим электрическим сопротивлением в закрытом состоянии и минимальным — в открытом, способный переходить из

Транзистор тетродный (tetrode transistor) — четырехэлектродный транзистор, имеющий два отдельных базовых электрода и два базовых вывода. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины и определения]