Реестровая запись: ЭЛ № ФС77-79395 от 02.11.2020 ISSN: 2782-1528 DOI 10.34660/c0727-6092-6372-a
Защита от прикосновения к токоведущим частям — устройство, предотвращающее прикосновение или приближение на опасное расстояние к токоведущим частям. [Глоссарий для дисциплины «Электротехника». (Электронный ресурс). Режим
Защита от прямого контакта — технические мероприятия, электрозащитные средства и их совокупности, предотвращающие прикосновение к токоведущим частям, находящимся под напряжением, или приближение к ним на
Защита от косвенного прикосновения (защита от косвенного контакта) — защита, исключающая опасность соприкосновения с открытыми проводящими частями, сторонними проводящими частями, которые могут оказаться под напряжением
Заряд — электрическая энергия, передаваемая элементу. [Глоссарий для дисциплины «Электротехника». (Электронный ресурс). Режим доступа: http:// infourok.ru›glossariy-dlya-disciplini-/, свободный]
Переход сплавной (alloyed junction) — P-n переход, образованный в результате вплавления в полупроводник и последующей рекристаллизации металла или сплава, содержащего донорные и (или) акцепторные примеси.
Переход конверсионный(conversion junction)— P-n переход, образованный в результате конверсии полупроводника, вызванной обратной диффузией примеси в соседнюю область или активацией атомов примеси. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы
Переход планарный (planar junction) — P-n переход, образованный в результате диффузии примеси сквозь открытую область в защитном слое, нанесенном на поверхность полупроводника. [ГОСТ Р 57436-2017.
Переход диффузионный (diffused junction) — P-n переход, полученный в результате диффузии атомов примеси в полупроводнике. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины и определения]
Переход точечный (point-contact junction) — P-n переход, все размеры которого меньше характеристической длины, определяющей физические процессы в переходе и в окружающих его областях. Примечание. Характеристической
Переход плоскостной (rectifier diode) — P-n переход, у которого линейные размеры, определяющие его площадь, значительно больше толщины. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины и определения]