Фотоэффект внутренний – в полупроводнике заключается в том, что под действием светового потока электроны и дырки, освобожденные в окрестностях освещенного p-n — перехода, перемещаясь под действием электрического поля, вызывают изменение напряжения на границах полупроводника.
[Михеев В.П., Просандеев А.В. Датчики и детекторы: Учебное пособие. – М.: МИФИ, 2007. – 172 с.]