Максимально допустимая импульсная рассеиваемая СВЧ мощнос— максимальное значение импульсной СВЧ мощности, рассеиваемой диодом при повышенном значении температуры среды или при максимальной температуре корпуса диода, при котором обеспечивается заданная надежность диода при длительной работе на заданную нагрузку в цепи диода.
[ГОСТ Р 71081-2023. Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные. Система параметров]