Диод обращенный (unitunnel diode) — полупроводниковый диод на основе полупроводника с критической концентрацией примеси, в котором проводимость при обратном напряжении вследствие туннельного эффекта значительно больше, чем при прямом напряжении, а пиковый ток и ток впадины приблизительно равны.
[ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины и определения]