Цепи высокочастотной коррекции
Цепи высокочастотной коррекции — цепи, изменяющие частотную характеристику на верхних частотах и переходную характеристику в области малых времен. [Электроника. (Электронный ресурс). Глоссарий. Режим доступа: http://
Цепи высокочастотной коррекции — цепи, изменяющие частотную характеристику на верхних частотах и переходную характеристику в области малых времен. [Электроника. (Электронный ресурс). Глоссарий. Режим доступа: http://
Цепи низкочастотной коррекции — цепи, изменяющие частотную характеристику в области нижних частот и переходную характеристику в области больших времен. [Электроника. (Электронный ресурс). Глоссарий. Режим доступа:
Пробой электрический — пробой, который связан со значительным увеличением напряженности электрического поля в р-n-переходе (более 105 В/см). [Электроника. (Электронный ресурс). Глоссарий. Режим доступа: http:// ulfek.ru›elektronika/680-glossarij.html/,
Переход электронно-дырочный — область внутри монокристалла полупроводника на границе раздела его двух сред с разным типом примесной электропроводности. [Электроника. (Электронный ресурс). Глоссарий. Режим доступа: http://
Эмиттер — область, из которой инжектируются носители заряда. [Электроника. (Электронный ресурс). Глоссарий. Режим доступа: http:// ulfek.ru›elektronika/680-glossarij.html/, свободный.]
Эмиттер биполярного транзистора — крайняя область в p-n-p (или n-p-n) структуре биполярного транзистора, используемая для инжекции (впрыскивания) носителей в область базы, посредством омического контакта соединена
Энергия ионизации — расстояние от потолка валентной зоны до акцепторного уровня. [Электроника. (Электронный ресурс). Глоссарий. Режим доступа: http:// ulfek.ru›elektronika/680-glossarij.html/, свободный.]
Усилители постоянного тока — приборы, которые могут усиливать медленно изменяющиеся электрические сигналы, т.е. они способны усиливать не только переменные, но и постоянные составляющие напряжения и
Уровень Ферми — энергия, соответствующая энергетическому уровню, вероятность заполнения которого при 0 К равна 1/2. [Электроника. (Электронный ресурс). Глоссарий. Режим доступа: http:// ulfek.ru›elektronika/680-glossarij.html/, свободный.]
Пробой туннельный — пробой, который возникает в полупроводниках с узким р-n-переходом и связан с туннельным эффектом, когда под воздействием очень сильного поля носители заряда могут