Пробой туннельный — пробой, который возникает в полупроводниках с узким р-n-переходом и связан с туннельным эффектом, когда под воздействием очень сильного поля носители заряда могут переходить из одной области в другую без затраты энергии.
[Электроника. (Электронный ресурс). Глоссарий. Режим доступа: http:// ulfek.ru›elektronika/680-glossarij.html/, свободный.]