ГОСТ Р (Государственный стандарт России)

Корпус полупроводникового прибора — элемент конструкции полупроводникового прибора, предназначенный для установки в него кристалла с подключением контактных площадок к внешним выводам, с целью обеспечения эксплуатационных характеристик

Прибор  полупроводниковый, бескорпусной /полупроводниковая структура/—  полупроводниковый прибор, не защищенный корпусом и предназначенный для использования в гибридных интегральных микросхемах, герметизируемых блоках и аппаратуре. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы

Площадка полупроводникового прибора, контактная — металлизированный участок на подложке, кристалле или корпусе полупроводникового прибора, служащий для присоединения выводов компонентов и кристаллов, перемычек, а также для контроля

Прибор полупроводниковый, оптоэлектронный (optoelectronic device) — полупроводниковый прибор, излучающий или преобразующий электромагнитное излучение или чувствительный к этому излучению в видимой, инфракрасной и (или) ультрафиолетовой областях спектра,

Тиристор импульсный (pulsed thyristor) — тиристор, имеющий малую длительность переходных процессов и предназначенный для применения в импульсных режимах работы. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины и

Тиристор комбинированно-выключаемый (mixed-off thyristor) — тиристор, выключаемый с помощью тока управления при одновременном воздействии обратного анодного напряжения. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины и определения]

Тиристор несимметричный (asymmetrical thyristor) — триодный тиристор с обратной блокировкой, номинальное обратное напряжение которого ниже номинального напряжения в закрытом состоянии. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины

Тиристор триодный лавинный, не проводящий в обратном направлении (avalanche reverse blocking triode thyristor); лавинный тиристор — тиристор с заданными характеристиками в точке минимального напряжения пробоя, предназначенный

Тиристор с инжектирующим управляющим электродом n-типа (N-gate thyristor) — тиристор, у которого управляющий электрод соединен с n-областью, ближайшей к аноду, который переводится в открытое состояние при

Тиристор с инжектирующим управляющим электродом p-типа (P-gate thyristor) — тиристор, у которого управляющий электрод соединен с p-областью, ближайшей к катоду, который переводится в открытое состояние путем