Тиристор с инжектирующим управляющим электродом p-типа (P-gate thyristor) — тиристор, у которого управляющий электрод соединен с p-областью, ближайшей к катоду, который переводится в открытое состояние путем подачи на управляющий вывод положительного по отношению к катоду сигнала.
[ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины и определения]