Транзистор полевой — полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемым электрическим полем.
[Электроника. (Электронный ресурс). Глоссарий. Режим доступа: http:// ulfek.ru›elektronika/680-glossarij.html/, свободный.]
Транзистор полевой – полупроводниковый прибор, в котором управление выходным током осуществляется электрическим полем, а не током, как в биполярных транзисторах. Так как в полевых транзисторах выходной ток образован носителями одного знака, такие транзисторы называют еще униполярными. Для того чтобы управлять током в полупроводнике с помощью электрического поля, нужно менять либо площадь проводящего полупроводникового слоя, либо его удельную проводимость. В полевых транзисторах используют оба способа. Поэтому различают транзисторы с управляющим р-n-переходом и МДП-транзисторы (металлдиэлектрик-полупроводник) или иначе МОП-транзисторы (металлокисел-полупроводник). МДП-транзисторы делятся в свою очередь на МДП-транзисторы с индуцированным и со встроенным каналом. На практике, как правило, термин «полевой» используют для транзисторов с управляющим р-n-переходом. В полевом транзисторе различают: канал — область полупроводника одного типа между двумя р-n-переходами, сопротивление которой зависит от внешнего электрического поля. Электрод, из которого в канал входят основные носители заряда, называют истоком, а электрод, в который уходят основные носители заряда — стоком. Электрод, служащий для регулирования сопротивления канала, называется затвором. Полевые транзисторы изготавливаются из кремния и подразделяются на транзисторы с каналами p и n типов. Название МДП (МОП) подчеркивает особенности технологии изготовления данного вида транзисторов: затвор в виде металлизированной поверхности (буква М) отделен слоем диэлектрика (окислом кремния – буква Д или О) от кристалла кремния (полупроводника – буква П). В основе работы полевого транзистора с управляющим p-n переходом лежит изменение площади поперечного сечения проводящего канала. Для этого к затвору подводят запирающее напряжение, что вызывает расширение закрытого p-n-перехода между затвором и каналом в сторону канала. Работа МДП (МОП) транзисторов основана на изменении удельного сопротивления канала. Для этого на затвор, изолированный от канала слоем диэлектрика, подается управляющее напряжение, за счет которого меняется концентрация носителей заряда в области канала. В зависимости от того, какой вывод транзистора является общим для входной и выходной цепей, различают схемы включения транзистора: с общим истоком (ОИ), с общим затвором (ОЗ), с общим стоком (ОС). Если входной сигнал подавать на вход затвора, то входное сопротивление полевого транзистора очень велико – до 1 МОм и более. По сравнению с биполярными транзисторами полевые транзисторы имеют следующие преимущества: — большое входное сопротивление; — малую зависимость параметров от температуры; — возможность работы в диапазоне как положительных, так и отрицательных сигналов (для МОП-транзисторов со встроенным каналом). Недостатки полевых транзисторов: — малая мощность; — малая внутренняя крутизна (проводимость прямой передачи); — большая входная емкость; — восприимчивость к статическому электричеству, которое может привести к пробою транзистора (для МОП-транзисторов в первую очередь). Меза-транзистор – это биполярный транзистор, выполненный таким образом, что на пластинке полупроводника, образующего коллектор, с помощью диффузии создается область базы, а на поверхности пластины напыляются выводы базы и эмиттера в виде полосок. В результате можно получить очень узкие р-n-переходы. Мезатранзисторы имеют очень высокую граничную частоту (несколько сотен мегагерц) и могут иметь большую выходную мощность. Планарный транзистор – это биполярный диффузионный транзистор плоской конструкции, в котором оба перехода выполнены методом диффузии и расположены на одной и той же стороне кремниевой пластины. Поверхность такого транзистора покрыта тонким защитным слоем двуокиси кремния, что обеспечивает высокое постоянство параметров во времени, в частности малые токи утечки и высокую надежность.
[Электроника: основные понятия, термины и определения: методические рекомендации для самостоятельной работы студентов технических направлений подготовки и специальностей / Юго-Зап. гос. ун-т; сост.: А.С. Романченко. — Курск, 2019. 37 с.: Библиогр.: с. 37.]
Транзистор полевой (field-effect transistor) — полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены переносом основных носителей заряда, протекающим через канал и управляемый электрическим полем.
Примечание. Действие полевого транзистора обусловлено носителями заряда одной полярности.
[ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины и определения]