ГОСТ Р (Государственный стандарт России)

Транзистор лавинный (avalance transistor) — биполярный транзистор, действие которого основано на использовании режима лавинного размножения носителей заряда в коллекторном переходе. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины

Транзистор плоскостной (junction transistor) — биполярный транзистор с плоскостными переходами. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины и определения]

Транзистор дрейфовый (drift transistor) — биполярный транзистор, в котором перенос неосновных носителей заряда через базы осуществляется в основном посредством дрейфа. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины

Транзистор бездрейфовый (diffusion transistor) — биполярный транзистор, в котором перенос неосновных носителей заряда через базы осуществляется в основном посредством диффузии. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины

Транзистор полевой с изолированным затвором (insulated-gate field-effect transistor) — полевой транзистор, имеющий один или несколько затворов, электрически изолированных от канала. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины

Транзистор полевой N-канальный (N-channel field-effect transistor) — полевой транзистор, у которого канал проводимости N-типа. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины и определения]

Транзистор полевой P-канальный — полевой транзистор, у которого канал проводимости P-типа. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины и определения]

Транзистор полевой типа металл-оксид-полупроводник (metal-oxide-semiconductor field effect transistor) — полевой транзистор с изолированным затвором, в котором в качестве изоляционного слоя между каждым металлическим затвором и

Транзистор полевой со структурой металл-диэлектрик-полупроводник (MIS-transistor) — полевой транзистор с изолированным затвором, в котором в качестве изоляционного слоя между каждым металлическим затвором и проводящим каналом

Транзистор полевой с барьером Шоттки (field-effect transistor with Schottky barrier) — полевой транзистор, имеющий один или несколько затворов, которые выполнены в виде барьерного контакта типа Шоттки.