Шумы транзисторов – различают тепловые, дробовые и структурные шумы. Источником тепловых шумов являются распределенные сопротивления полупроводника. Для биполярного транзистора решающее значение имеет величина сопротивления базы. Дробовые шумы связаны с флуктуациями прохождения носителей зарядов через 17 p-n-переходы. Структурные шумы образуются шумами поверхностной рекомбинации и шумами утечки коллектора. Эксплуатационные параметры транзисторов – это параметры, предельные значения которых указывают на возможности практического применения транзисторов. К основным эксплуатационным параметрам относятся: — максимально допустимый выходной ток: для биполярных транзисторов ток коллектора IКmax, для полевых транзисторов ток стока IСmax. Превышение IКmax приводит к тепловому пробою коллекторного перехода и выходу транзистора из строя. IСmax ограничивается максимально допустимой мощностью, рассеиваемой стоком транзистора; — максимально допустимое напряжение между выходными выводами транзистора: UКЭmax для биполярных транзисторов и UСИmax для полевых транзисторов. Это напряжение определяется значениями пробивного напряжения коллекторного перехода биполярных транзисторов и пробивного напряжения участка «сток – затвор» полевых транзисторов; — максимально допустимая мощность рассеяния: в биполярном транзисторе это мощность PКmax, рассеиваемая коллектором и бесполезно расходуемая на нагревание транзистора. Для полевого транзистора это мощность PСmax, рассеиваемая стоком транзистора. Определяется без использования специальных теплоотводящих устройств – радиаторов. Область рабочих режимов транзистора (рабочая область) – область на выходных характеристиках транзистора, ограниченная максимально допустимым выходным током, максимально допустимым напряжением между выходными выводами транзистора и максимально допустимой мощностью рассеяния. Области работы транзистора – области на выходных характеристиках биполярного транзистора, определяющие работу транзистора в зависимости от смещения p-n-переходов. Данное понятие также используется без привязки к графическим характеристикам транзистора, чтобы охарактеризовать работу транзистора в различных режимах. При работе транзистора как усилителя малых сигналов эмиттерный переход открыт, а коллекторный закрыт. Это активная область работы (активный режим работы), в которой транзистор приближенно можно считать линейным активным элементом и пользоваться параметрами, приводимыми в справочниках. При этом увеличение напряжения UКЭ ведет к существенному возрастанию тока IК. Область, в которой как эмиттерный, так и коллекторный переходы смещены в обратном направлении (закрыты), называют областью отсечки (режим отсечки). В этой области ток коллектора минимален (IК = IК0), а напряжение на коллекторе максимально. Областью насыщения (режим насыщения) называется область, в которой эмиттерный и коллекторный переходы смещены в прямом направлении (открыты). Коллекторный ток достигает насыщения (на выходных характеристиках это почти горизонтальные участки), падение напряжения на коллекторе имеет очень малое значение. В этой области входное сопротивление транзистора в схеме с ОЭ очень мало, благодаря чему достигается большое постоянство амплитуды выходного сигнала, не зависящее от изменения входного сигнала. Режим переключения – режим работы биполярного транзистора при достаточно большом сигнале, когда мгновенная рабочая точка транзистора проходит через три области: отсечки, активную и насыщения. Подобные условия работы наблюдаются очень часто в схемах импульсной и цифровой техники, т.е. при импульсных сигналах достаточной амплитуды. При этом различают управление работой транзистора током, напряжением и зарядом. Управлением транзистором по току называют управление входной цепью от источника с большим внутренним сопротивлением по сравнению с входным сопротивлением транзистора. Управлением транзистором по напряжению называют управление входной цепью от источника с малым внутренним сопротивлением по сравнению с входным сопротивлением транзистора. При импульсном управлении по току и по напряжению скачкообразное изменение тока базы не вызывает мгновенного изменения тока коллектора. Управление зарядом состоит во введении в базу требуемого заряда сразу, целиком, а не на принципе постепенного накопления этого заряда, как это имеет место, например, в случае управления при постоянном токе базы. Управление зарядом осуществляется, в частности, путем использования цепи с ускоряющим конденсатором: импульс, связанный с наличием емкости во входной цепи, вводит в базовую область такой заряд в начальный момент времени, что ток коллектора очень быстро достигает своего установившегося значения. В результате получаем наибольшую крутизну импульса выходного напряжения транзистора, т.е. наименьшее время фронта импульса.
[Электроника: основные понятия, термины и определения: методические рекомендации для самостоятельной работы студентов технических направлений подготовки и специальностей / Юго-Зап. гос. ун-т; сост.: А.С. Романченко. — Курск, 2019. 37 с.: Библиогр.: с. 37.]