Переход электронно-дырочный (р-n) – это переход, который образован двумя областями полупроводника с разными типами проводимости: электронной и дырочной. Электронно-дырочный переход нельзя создать простым соприкосновением двух полупроводниковых пластин р-типа и n-типа, т.к. в месте соединения невозможно обеспечить общую кристаллическую решетку без дефектов. На практике широко используется метод получения р-n-перехода путем введения в полупроводник примеси с противоположным типом проводимости, например, с помощью диффузии или эпитаксии.
[Электроника: основные понятия, термины и определения: методические рекомендации для самостоятельной работы студентов технических направлений подготовки и специальностей / Юго-Зап. гос. ун-т; сост.: А. С. Романченко. — Курск, 2019. 37 с.: Библиогр.: с. 37.]