Диод инжекционно-пролетный (barrier-injection and transittime diode) — полупроводниковый диод, работающий в режиме инжекции носителей заряда в область запорного слоя, предназначенный для генерации сверхвысокочастотных колебаний.
[ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины и определения]