Приборы/instrumentation

Транзистор биполярный с изолированным затвором (insulated-gate bipolar transistor) — биполярный транзистор с управляющей структурой металл-окисел-полупроводник. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины и определения]

Транзистор униполярный (unipolar transistor) — транзистор, функционирование которого основано на носителях зарядов одной полярности. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины и определения]

Транзистор полевой с управляющим p-n переходом (junction-gate field-effect tran) — полевой транзистор, имеющий один или несколько затворов, электрически отделенных от канала p-n переходом, смещенным в обратном

Транзистор лавинный (avalance transistor) — биполярный транзистор, действие которого основано на использовании режима лавинного размножения носителей заряда в коллекторном переходе. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины

Транзистор плоскостной (junction transistor) — биполярный транзистор с плоскостными переходами. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины и определения]

Транзистор дрейфовый (drift transistor) — биполярный транзистор, в котором перенос неосновных носителей заряда через базы осуществляется в основном посредством дрейфа. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины

Транзистор бездрейфовый (diffusion transistor) — биполярный транзистор, в котором перенос неосновных носителей заряда через базы осуществляется в основном посредством диффузии. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины

Транзистор полевой с изолированным затвором (insulated-gate field-effect transistor) — полевой транзистор, имеющий один или несколько затворов, электрически изолированных от канала. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины

Транзистор полевой N-канальный (N-channel field-effect transistor) — полевой транзистор, у которого канал проводимости N-типа. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины и определения]

Транзистор полевой P-канальный — полевой транзистор, у которого канал проводимости P-типа. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины и определения]