Транзистор биполярный с изолированным затвором
Транзистор биполярный с изолированным затвором (insulated-gate bipolar transistor) — биполярный транзистор с управляющей структурой металл-окисел-полупроводник. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины и определения]