Свидетельство о регистрации СМИ: ЭЛ № ФС77-79395 от 02.11.2020 ISSN: 2782-1528 DOI 10.34660/c0727-6092-6372-a
Интеллект искусственный, сильный — область разработки искусственного интеллекта, направленная на создание систем искусственного интеллекта, столь же полезных и опытных, как человеческий разум. [Терминология искусственного интеллекта. (Электронный ресурс).
Мощность стабилитрона максимально допустимая, рассеиваемая — максимальная постоянная или средняя мощность, рассеиваемая на стабилитроне, при которой обеспечивается за- данная надёжность. [Чернявский Н.И. Полупроводниковые приборы. Обозначения
Коэффициент напряжения стабилизации, температурный — величина, определяемая отношением относительного изменения напряжения стабилизации к абсолютному изменению тем- пературы окружающей среды при постоянном токе стабилизации. [Чернявский Н.И.
Емкость стабилитрона полная — емкость между выводами стабилитрона при заданном напряжении смещения. [Чернявский Н.И. Полупроводниковые приборы. Обозначения параметров, их термины и определения: Справочное пособие. Тольятти:
Сопротивление дифференциальное — обратная величина крутизны вольт-амперной характеристики. [Чернявский Н.И. Полупроводниковые приборы. Обозначения параметров, их термины и определения: Справочное пособие. Тольятти: ТГУ, 2007.- 65 с.]
Ток пика — прямой ток в точке максимума ВАХ, при значение di/du равном нулю. [Чернявский Н.И. Полупроводниковые приборы. Обозначения параметров, их термины и определения: Справочное
Ток впадины — прямой ток в точке минимума вольт-амперной характеристики, при di/du равном нулю. [Чернявский Н.И. Полупроводниковые приборы. Обозначения параметров, их термины и определения: Справочное
Отношение токов туннельного диода — отношение тока пика к току впадины. [Чернявский Н.И. Полупроводниковые приборы. Обозначения параметров, их термины и определения: Справочное пособие. Тольятти: ТГУ,
Индуктивность диода — полная последовательная эквивалентная индуктивность диода при заданных условиях. [Чернявский Н.И. Полупроводниковые приборы. Обозначения параметров, их термины и определения: Справочное пособие. Тольятти: ТГУ,
Сопротивление потерь туннельного диода — суммарное активное сопротивление кристалла, контактных присоединений и выводов. [Чернявский Н.И. Полупроводниковые приборы. Обозначения параметров, их термины и определения: Справочное пособие.