Свидетельство о регистрации СМИ: ЭЛ № ФС77-79395 от 02.11.2020 ISSN: 2782-1528 DOI 10.34660/c0727-6092-6372-a
Датчик бесконтактный утапливаемого исполнения (embeddable proximity switch) — датчик имеет утапливаемое исполнение, если демпфирующий материал может быть помещен вокруг чувствительной поверхности датчика, не оказывая влияния на
Датчик бесконтактный прямого действия (direct operated proximity switch) — датчик, использующий для обнаружения объекта воздействия дополнительное оборудование (например рефлектор). [ГОСТ IEC 60947-5-2-2012. Аппаратура распределения и
Датчик магнитный немеханический бесконтактный (non-mechanical magnetic proximity switch) — датчик, обнаруживающий наличие магнитного поля, имеющий полупроводниковый коммутационный элемент и не содержащий подвижных частей в чувствительном
Датчик бесконтактный оптический (фотоэлектрический) типа Т (барьерный) (type Т) — датчик с разнесенной оптикой, который косвенно действует при боковом приближении контролируемого объекта воздействия по относительной
Датчик типа R (ретрорефлекторный) бесконтактный оптический (фотоэлектрический) (type R) — датчик, отражательного типа, который косвенно действует при боковом приближении контролируемого объекта воздействия к относительной оси между
Датчик типа D (диффузный) бесконтактный оптический (фотоэлектрический) (type D) — датчик, использующий эффект диффузного отражения потока излучения от объекта воздействия при его боковом или осевом приближении.
Датчик оптический, бесконтактный (фотоэлектрический) (photoelectric proximity switch) — датчик, обнаруживающий объекты воздействия, при прерывании или отражении видимого или невидимого оптического излучения, и имеющий полупроводниковый коммутационный элемент.
Мощность рассеиваемая, максимальная допустимая — максимальное значение мощности, рассеиваемой на СВЧ диоде, при которой обеспечивается заданная надёжность при длительной работе. [Чернявский Н.И. Полупроводниковые приборы. Обозначения
Ток постоянный, обратный — постоянный ток в обратном направлении при заданном обратном напряжении. [Чернявский Н.И. Полупроводниковые приборы. Обозначения параметров, их термины и определения: Справочное пособие.
Добротность подстроечного варикапа — отношение реактивного сопротивления на заданной частоте к сопротивлению потерь при заданной ёмкости или обратного напряжения. [Чернявский Н.И. Полупроводниковые приборы. Обозначения параметров,