Приборы полупроводниковые.

Тиристор диодный  симметричный /диак/ (bidirectional diode thyristor) — диодный тиристор, который переключается как в прямом, так и в обратном направлениях. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые.

Тиристор диодный, проводящий в обратном направлении (reverse conducting diode thyristor) — диодный тиристор, который при обратном напряжении не переключается, а проводит большие токи при напряжениях, сравнимых

Тиристор диодный, не проводящий в обратном направлении (sperrende thyristordiode) —  диодный тиристор, который при обратном напряжении не переключается, а находится в обратном непроводящем состоянии. [ГОСТ

Транзистор биполярный с изолированным затвором (insulated-gate bipolar transistor) — биполярный транзистор с управляющей структурой металл-окисел-полупроводник. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины и определения]

Транзистор униполярный (unipolar transistor) — транзистор, функционирование которого основано на носителях зарядов одной полярности. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины и определения]

Транзистор полевой с управляющим p-n переходом (junction-gate field-effect tran) — полевой транзистор, имеющий один или несколько затворов, электрически отделенных от канала p-n переходом, смещенным в обратном

Транзистор лавинный (avalance transistor) — биполярный транзистор, действие которого основано на использовании режима лавинного размножения носителей заряда в коллекторном переходе. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины

Транзистор плоскостной (junction transistor) — биполярный транзистор с плоскостными переходами. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины и определения]

Транзистор дрейфовый (drift transistor) — биполярный транзистор, в котором перенос неосновных носителей заряда через базы осуществляется в основном посредством дрейфа. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины

Транзистор бездрейфовый (diffusion transistor) — биполярный транзистор, в котором перенос неосновных носителей заряда через базы осуществляется в основном посредством диффузии. [ГОСТ Р 57436-2017. Приборы полупроводниковые. Термины